近日，中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈迅速升溫，背后推手竟是英偉達(dá)。據(jù)悉，英偉達(dá)為提升GPU效能，計(jì)劃將硅中介層材料由硅更換為碳化硅。

今年5月，全球碳化硅龍頭Wolfspeed宣布破產(chǎn)，然而同月，環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭表示，公司將和客戶共同開(kāi)發(fā)碳化硅新產(chǎn)品。

據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)新一代Rubin處理器的開(kāi)發(fā)藍(lán)圖中，為提升效能，計(jì)劃將硅中介層材料更換為碳化矽。硅中介層在IC封裝中扮演重要角色，如同大樓的樓板，承載GPU并連接高性能記憶體，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)快速移動(dòng)。目前，一塊硅中介層內(nèi)配置一顆GPU和多顆記憶體。

業(yè)界人士指出，英偉達(dá)對(duì)GPU性能的追求無(wú)止境，其NVLink技術(shù)特性要求GPU和記憶體距離愈近，傳輸速度愈快，功率愈高，效能愈好。未來(lái)英偉達(dá)甚至計(jì)劃將GPU和記憶體疊在一起，用極大電流驅(qū)動(dòng)。由于碳化硅導(dǎo)熱系數(shù)優(yōu)于銅，能有效緩解高熱問(wèn)題，因此被英偉達(dá)青睞。

然而，碳化硅用于中介層的要求與傳統(tǒng)碳化硅不同，切割技術(shù)成為關(guān)鍵。碳化硅硬度接近鉆石，切割不當(dāng)會(huì)導(dǎo)致表面波浪狀，無(wú)法用于先進(jìn)封裝。此外，制造中介層需使用絕緣單晶碳化硅，且尺寸需與現(xiàn)有硅晶圓相同。目前中國(guó)碳化硅制造商多只能生產(chǎn)6吋和8吋晶圓，因此，投資制造更大單晶碳化硅晶圓產(chǎn)線成為臺(tái)灣廠商的差異化優(yōu)勢(shì)。