天眼查顯示，江蘇魯汶儀器股份有限公司“一種位于開口側(cè)壁表面的膜層的刻蝕方法”專利公布，申請公布日為2025年3月14日，申請公布號為CN119626902A。

本申請?zhí)峁┝艘环N位于開口側(cè)壁表面的膜層的刻蝕方法，應用于半導體器件，該方法包括：將半導體器件置于載臺上，半導體器件中具有開口，開口的側(cè)壁表面鍍有預設(shè)膜層；在預設(shè)膜層表面形成覆蓋層；利用離子束對覆蓋層進行刻蝕，去除覆蓋層的部分區(qū)域，裸露預設(shè)膜層的第一部分，第一部分為預設(shè)膜層中位于預設(shè)位置朝向開口端口一側(cè)的部分，離子束的入射角度和半導體器件所在表面呈第一角度，第一角度的取值范圍為90°～0°以及0°～90°，不包括端點值；去除預設(shè)膜層的第一部分；去除覆蓋層的剩余部分。該方法在對覆蓋層進行刻蝕的過程中，可以通過第一角度的設(shè)置，控制遮蔽效應所影響的區(qū)域，實現(xiàn)刻蝕位置的精確控制，提高刻蝕位置的準確度。