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Sunlord破解AI服務(wù)器供電難題!揭秘高效、小型化電感黑科技

來源:Sunlord #Sunlord#
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AI服務(wù)器:新需求催生新變革

2025年,人工智能正以前所未有的速度重塑全球經(jīng)濟(jì)格局,從大模型訓(xùn)練到行業(yè)應(yīng)用落地,AI服務(wù)器作為算力核心基礎(chǔ)設(shè)施,成為科技競爭的戰(zhàn)略高地。AI 服務(wù)器的崛起,是人工智能時代發(fā)展的必然結(jié)果。與普通服務(wù)器相比,AI 服務(wù)器在架構(gòu)、工作方式和功率等方面都有顯著差異。它們采用 CPU+GPU/NPU 等加速卡的架構(gòu),以并行處理的方式高效完成復(fù)雜任務(wù),功率更是大幅提升。

1、GPU/ASIC功耗爆炸式增長:

單顆GPU的功耗已經(jīng)從幾年前的300W-400W,飆升到如今的1400W(B300)。下一代R200 GPU預(yù)計將達(dá)到1800W。這相當(dāng)于一個小型家用吹風(fēng)機(jī)的功率集中在比手機(jī)還小的芯片上。功耗增加的同時,芯片制程還在微縮,導(dǎo)致單位面積上的功率密度(W/mm2)急劇上升,產(chǎn)生巨大的熱量,對供電的響應(yīng)速度和效率要求極高。

2、供電架構(gòu)模式轉(zhuǎn)變:

AI 服務(wù)器目前主流的供電架構(gòu)為48Và12V,未來將會邁向48V直接轉(zhuǎn)6.75V或更低電壓模式,減少了中間轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié),提升了整體效率,但是對電路上的元器件性能要求則會更高。

供電模式轉(zhuǎn)變:橫向供電à垂直供電à集成供電

隨著生成式人工智能訓(xùn)練處理器的連續(xù)電流需求增加到1000A,PoL 轉(zhuǎn)換器被放在xPU的橫向(旁邊)位置。由于銅的電阻率和 PCB 上的走線長度,橫向放置的 PoL 供電網(wǎng)絡(luò)(PDN)的集總阻抗相當(dāng)高,可能達(dá)到 150μΩ或更高,這意味著 PCB走線就會消耗掉 150W的功率。垂直供電VPD結(jié)構(gòu)的出現(xiàn),將 PoL 轉(zhuǎn)換器直接放置在xPU的下方。在垂直供電網(wǎng)絡(luò)中,其總阻抗可能降至15μΩ或更低,這意味著在內(nèi)核電壓域1000A培的連續(xù)電流下,只會消耗 15W的功率。為進(jìn)一步減小PDN的功率消耗,未來會進(jìn)一步將供電模塊集成到xPU內(nèi)部。

LPD(Lateral Power Delivery)、VPD(Vertical Power Delivery)、IVR(Integrated Voltage Regulator)技術(shù)的應(yīng)用,對功率電感器提出了更高的要求,如在小尺寸、薄形化下實(shí)現(xiàn)大電流、更高頻率下實(shí)現(xiàn)低損耗、電感形態(tài)的多樣化(嵌入式、電感排、耦合電感等)。

AI 服務(wù)器電源模塊趨勢:高功率密度、高效率、高可靠性

如今,DC-DC電源模塊已經(jīng)不是單純的傳統(tǒng)的大個頭的封裝,SIP封裝技術(shù)已經(jīng)從2D發(fā)展到3D,封裝材料除了傳統(tǒng)的塑封料外,也開始采用磁性材料,目的都是在趨向高功率密度、高效率、高散熱、高可靠性。

受空間限制,橫向供電的電源模塊尺寸一般在10*9*8mm,而垂直供電電源模塊的高度則降低至5mm,未來如果要集成輸出電容,電源模塊的尺寸還會進(jìn)一步減小。

而對于集成在電源模塊中的電感,會因模塊設(shè)計和電路拓?fù)渥兓湫阅芤笠泊蟛幌嗤?,比如電感在PCB上且本體帶散熱片的垂直結(jié)構(gòu)、電感放在中間且本體帶數(shù)據(jù)PIN和散熱PIN的三明治結(jié)構(gòu)、TLVR或非TLVR拓?fù)洹?相或4相等等。這要求電感具有高度的可定制性和設(shè)計靈活性。

順絡(luò)核心產(chǎn)品:撐起xPU供電“硬實(shí)力”

Sunlord順絡(luò)電子憑借多年技術(shù)積累,推出了一系列專為AI服務(wù)器xPU供電打造的高性能電感和電容解決方案,助力客戶應(yīng)對高效能計算帶來的電源挑戰(zhàn), 包括組裝式技術(shù)平臺、銅磁共燒平臺、冷熱壓平臺和超低壓模塑平臺,可完全覆蓋VRM、TLVR、多相、耦合等多種應(yīng)用場景。

以下僅展示標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。

WPZ系列組裝式功率電感

(1)VRM供電

(2)TLVR供電

2. HTF 系列銅磁共燒電感

Sunlord的HTF系列電感采用獨(dú)有的銅磁共燒技術(shù),具有高性能表現(xiàn):厚度低至1mm、高飽和電流、低DCR、低損耗等;結(jié)構(gòu)上可實(shí)現(xiàn)單相、多相等不同結(jié)構(gòu);可定制化程度高,支持靈活多樣的布板形式,可支持I/O線集成在電感上、垂直供電、嵌入式和埋感式、背面貼裝等多種結(jié)構(gòu)。以下展示通用性的標(biāo)準(zhǔn)電感。

單相電感:

多相電感:

3、新型無引線框鉭電容  

聚合物鉭電容具有更好的高溫穩(wěn)定性、電壓穩(wěn)定性,適合應(yīng)用于服務(wù)器這種需要高可靠產(chǎn)品的場所,同時,

1)在相同體積下,順絡(luò)新結(jié)構(gòu)鉭電容的容量比傳統(tǒng)引線框結(jié)構(gòu)的大,一方面可以有效保證PDN的電壓穩(wěn)定性,一方面可以使用更少的電容以降低空間。

2)在相同容量和電壓下,順絡(luò)新結(jié)構(gòu)鉭電容可以做到比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)體積更小,高度更低,適合AI服務(wù)器/加速卡小型化、薄型化的需求。

責(zé)編: 愛集微
來源:Sunlord #Sunlord#
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