臺(tái)積電傳出戰(zhàn)略調(diào)整消息，為聚焦高增長(zhǎng)市場(chǎng)領(lǐng)域，該公司正逐步縮減成熟制程資源，并計(jì)劃退出氮化鎵(GaN)市場(chǎng)。據(jù)悉，臺(tái)積電生產(chǎn)GaN產(chǎn)品的晶圓五廠將僅供應(yīng)至2027年7月1日，之后該產(chǎn)線將轉(zhuǎn)型用于先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)。

此次業(yè)務(wù)調(diào)整反映了臺(tái)積電對(duì)公司資源配置的戰(zhàn)略性重新評(píng)估。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工企業(yè)，臺(tái)積電正將更多資源投入到具有更高增長(zhǎng)潛力的市場(chǎng)領(lǐng)域，尤其是先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝技術(shù)。

臺(tái)積電此舉意味著公司將逐步淡出GaN市場(chǎng)，這一決策可能對(duì)相關(guān)供應(yīng)鏈產(chǎn)生影響。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于高頻、高功率電子設(shè)備中，近年來(lái)在快速充電、射頻和電力電子領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。

業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為，臺(tái)積電將晶圓五廠轉(zhuǎn)型為先進(jìn)封裝產(chǎn)線，顯示了公司對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)的前瞻性判斷。隨著芯片制程微縮面臨物理極限，先進(jìn)封裝技術(shù)正成為提升芯片性能的關(guān)鍵路徑之一，也是臺(tái)積電未來(lái)重點(diǎn)發(fā)展的戰(zhàn)略方向。

對(duì)于臺(tái)積電的客戶而言，這一轉(zhuǎn)變預(yù)計(jì)將給予他們充足的時(shí)間尋找替代供應(yīng)商。同時(shí)，臺(tái)積電在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的加碼投入，也將為其在未來(lái)的半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)中提供新的增長(zhǎng)點(diǎn)。