1.愛集微總部落戶上海張江 積極推進集成電路行業(yè)大模型JiweiGPT

2.國產(chǎn)先進封裝設(shè)備商湃芯半導體被申請破產(chǎn)審查

3.2026年日本半導體設(shè)備銷售額將增長10.0%突破5萬億日元

4.三星半導體績效獎金大幅下滑：存儲部門降至25%，晶圓代工部門為0%

5.DDR4芯片價格暴漲200%超DDR5，部分廠商決定重啟生產(chǎn)爭取市場份額

6.三巨頭爭霸1.4nm制程！臺積電穩(wěn)健領(lǐng)跑、英特爾調(diào)整戰(zhàn)略、三星延后量產(chǎn)

7.第九屆半導體投資聯(lián)盟理事會順利舉辦，超百位行業(yè)領(lǐng)袖建言產(chǎn)業(yè)發(fā)展

8.破局產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新 集微大會解碼“科技成果轉(zhuǎn)化與校企合作”新路徑

9.老杳：AI將顛覆半導體行業(yè)，擁抱變革正當其時

1.愛集微總部落戶上海張江 積極推進集成電路行業(yè)大模型JiweiGPT

7月4日，在2025第九屆集微半導體大會上，中國ICT產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)軍企業(yè)愛集微（上海）科技有限公司正式宣布公司總部落戶上海張江。這一戰(zhàn)略決策不僅標志著愛集微17年發(fā)展歷程中的重要里程碑，更展現(xiàn)了公司深耕半導體產(chǎn)業(yè)服務(wù)、布局AI技術(shù)創(chuàng)新、打造產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺的戰(zhàn)略決心。

作為中國半導體產(chǎn)業(yè)服務(wù)領(lǐng)域的標桿企業(yè)，愛集微自2008年創(chuàng)立“老杳吧”以來，始終堅持以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展。經(jīng)過17年的深耕細作，公司已構(gòu)建起涵蓋產(chǎn)業(yè)咨詢、數(shù)據(jù)服務(wù)、人工智能及產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的完整生態(tài)體系。2017年完成Pre-A輪融資后，愛集微加速發(fā)展步伐，先后推出愛集微APP、集微職場APP等核心產(chǎn)品平臺，自主研發(fā)的集成電路行業(yè)大模型JiweiGPT更是在業(yè)內(nèi)率先實現(xiàn)商業(yè)化落地應(yīng)用，并上線“芯力量項目庫”“投資機構(gòu)數(shù)據(jù)庫”等服務(wù)平臺，為行業(yè)提供全方位支持。

近年來，愛集微在技術(shù)創(chuàng)新和行業(yè)發(fā)展方面屢獲殊榮。2023年入選“北京市通用人工智能產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新伙伴計劃”；2024年一舉斬獲“國家高新技術(shù)企業(yè)”和“專精特新中小企業(yè)”雙重認證，其自主研發(fā)的“交互式文本內(nèi)容生成算法”更是首批通過國家網(wǎng)信辦深度合成服務(wù)算法備案；2025年再獲“上海市產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)優(yōu)秀企業(yè)”殊榮，充分展現(xiàn)了公司在技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)服務(wù)方面的領(lǐng)先實力。

愛集微目前擁有相關(guān)專利12項（其中發(fā)明專利6項，外觀專利6項），計算機軟著22項，作品登記軟著9項，申請中發(fā)明專利28項，外觀專利1件。

選擇上海張江作為公司總部，體現(xiàn)了愛集微對產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢的精準把握。張江作為國家級科技創(chuàng)新高地，匯聚了全球頂尖的科技企業(yè)與研發(fā)機構(gòu)，形成了完整的集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)。愛集微將充分借助這一區(qū)位優(yōu)勢，將持續(xù)深化在半導體產(chǎn)業(yè)鏈、AI大模型及生產(chǎn)性互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)領(lǐng)域的布局，攜手合作伙伴推動半導體行業(yè)創(chuàng)新與發(fā)展。

在同期舉辦的大會主論壇上，愛集微的戰(zhàn)略布局引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。本屆大會首次移師上海便創(chuàng)下多項紀錄，吸引了包括政府代表、院士專家、產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖在內(nèi)的全球半導體精英，參會人數(shù)突破5000人。特別值得一提的是，AI成為貫穿全程的核心議題，從主論壇到專題研討，超過60%的議程涉及AI技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用，充分展現(xiàn)了AI與半導體產(chǎn)業(yè)深度融合的行業(yè)趨勢。

愛集微創(chuàng)始人兼董事長老杳表示：“總部落戶張江是公司戰(zhàn)略升級的關(guān)鍵一步。我們早在五年前就開始布局人工智能領(lǐng)域，目前集成電路行業(yè)大模型JiweiGPT已深度賦能核心業(yè)務(wù)線。未來將依托張江的產(chǎn)業(yè)集群優(yōu)勢，重點布局產(chǎn)業(yè)服務(wù)、AI大模型創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺建設(shè)三大方向，為全球半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供智能化解決方案?！?/p>

未來，愛集微將繼續(xù)秉持創(chuàng)新驅(qū)動的發(fā)展理念，以全球總部建設(shè)為契機，深化技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)服務(wù)，攜手合作伙伴共同推動半導體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。

2.國產(chǎn)先進封裝設(shè)備商湃芯半導體被申請破產(chǎn)審查

近日，全國企業(yè)破產(chǎn)重整案件信息網(wǎng)新增一例破產(chǎn)審查案件，鄭志遠申請對蘇州市湃芯半導體科技有限公司進行破產(chǎn)審查。

據(jù)蘇州市虎丘區(qū)人民法院企業(yè)破產(chǎn)申請書信息顯示，申請人系被申請公司前員工，自2024年5月入職，被被申請公司自2024作8月起拖欠工資，申請人已向蘇州虎丘人民法院申請立案。申請書指出，被申請人現(xiàn)停止經(jīng)營，明顯缺乏清償能力，符合《企業(yè)破產(chǎn)法》第二條規(guī)定的破產(chǎn)條件。

法院指出，本院未處置被執(zhí)行人名下財產(chǎn)，未查詢到被執(zhí)行人名下有財產(chǎn)。并稱已查明被執(zhí)行人目前在江蘇省內(nèi)合計有9件執(zhí)行案件，合計債務(wù) 202212.35 元。

蘇州市湃芯半導體科技有限公司法定代表人為孫春，成立日期為2023年12月27日，注冊資本300萬元人民幣，股東為南京湃芯企業(yè)管理中心（有限合伙），持股70%認繳210萬元人民幣；南京永探企業(yè)管理中心（有限合伙），持股9%認繳27萬元人民幣；蔡攀鑫持股8%認繳24萬元人民幣；上海阜港信息咨詢中心（有限合伙），持股7%認繳21萬元人民幣；南京永瀚企業(yè)管理中心（有限合伙），持股6%認繳18萬元人民幣。

2024年2月2日，湃芯半導體封裝檢測設(shè)備總部項目簽約落地蘇州高新區(qū)。介紹稱，蘇州市湃芯半導體科技有限公司專注于先進芯片封裝以及檢測設(shè)備的研發(fā)、制造和銷售，主要產(chǎn)品包括先進封裝倒裝設(shè)備，先進貼片機、巨量測試機以及第三代半導體晶圓檢測設(shè)備等。

3.2026年日本半導體設(shè)備銷售額將增長10.0%突破5萬億日元

日本半導體制造裝置協(xié)會（SEAJ）公布的最新的報告顯示，因AI服務(wù)器用GPU、HBM需求旺盛，中國臺灣先進晶圓代工廠（臺積電）將開始量產(chǎn)2nm，對2nm的投資增加，加上韓國對DRAM/HBM的投資增加，預計2025年度（2025年4月-2026年3月）日本制造的半導體設(shè)備銷售額自前次（2025年1月）預估的46,590億日元上修至48,634億日元，將較2024年度增加2.0%，年銷售額將連續(xù)第二年創(chuàng)下歷史新高紀錄。

SEAJ表示，2026年度(2026年4月-2027年3月)期間，中國臺灣以外的企業(yè)對2nm的投資將增加、且期待日本也將對2nm進行量產(chǎn)投資，加上廠商對AI服務(wù)器用HBM、NAND Flash(300層以上產(chǎn)品)的投資預計增長，因此將2026年度日本芯片設(shè)備銷售額自前次預估的51,249億日元上修至53,498億日元、將年增10.0%，年銷售額將史上首度沖破5萬億日元大關(guān)、續(xù)創(chuàng)歷史新高。

此外，SEAJ 統(tǒng)計的數(shù)據(jù)指出，2025年5月份日本制芯片設(shè)備銷售額為4,462.91億日元、較去年同月增加11.3%，連續(xù)第17個月呈現(xiàn)增長，增幅連14個月達兩位數(shù)(10%以上)水準，月銷售額連續(xù)第19個月突破3,000億日元、連7個月高于4,000億日元，僅略低于2025年4月的4,470.38億日元，創(chuàng)1986年開始進行統(tǒng)計以來歷史次高紀錄。 2025年1-5月期間，日本芯片設(shè)備銷售額達21,545.84億日元、較去年同期暴增20.5%，就歷年同期來看，遠超2024年的17,880.33億日元、創(chuàng)下歷史新高紀錄。

數(shù)據(jù)顯示，2025-2027年度期間日本芯片設(shè)備銷售額的年均復合成長率（CAGR）預估為4.9%。日本芯片設(shè)備全球市占率（以銷售額換算）達30%，僅次于美國。

4.三星半導體績效獎金大幅下滑：存儲部門降至25%，晶圓代工部門為0%

三星電子負責半導體業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案（DS）部門，其今年上半年的績效獎金最高為基本工資的25%。這是由于高帶寬存儲器（HBM）的市場反應(yīng)不如競爭對手，以及NAND閃存市場行情惡化導致業(yè)績下滑。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子7月4日在其內(nèi)部網(wǎng)站上公布了2025上半年目標達成獎勵（TAI）的支付標準。TAI每半年支付一次，最高金額為月基本工資的100%，具體金額取決于各業(yè)務(wù)部門的業(yè)績表現(xiàn)。

三星電子DS部門將獲得基本工資的0~25%。按業(yè)務(wù)部門劃分，存儲部門將獲得25%的TAI，系統(tǒng)LSI部門將獲得12.5%的TAI，半導體研究中心部門將獲得12.5%的TAI，晶圓代工部門將獲得0%的TAI。TAI的支付日期為7月8日。三星電子DS部門的高管們決定退還TAI，以表明他們決心提高經(jīng)營業(yè)績。

從2015年到2022年上半年，DS部門的TAI一直是最高的，為每月基本工資的100%，但自2022年下半年以來，由于業(yè)績放緩，績效獎金有所減少。2023年下半年，他們的TAI降至歷史最低水平，存儲部門為12.5%，代工部門和系統(tǒng)LSI部門為0%。但隨著市場環(huán)境的改善，2024年上半年的TAI逐漸回升至37.5%~75%。2024年下半年，由于基數(shù)效應(yīng)，他們的績效獎金達到200%，超過最高標準。當時，系統(tǒng)LSI和晶圓代工業(yè)務(wù)部門的獎金比例為25%。然而，2025年上半年，由于NAND閃存部門盈利能力惡化，以及晶圓代工和系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)虧損數(shù)萬億韓元，獎金水平大幅下降。

在設(shè)備體驗（DX）部門，視覺顯示（VD）業(yè)務(wù)部門和數(shù)碼家電業(yè)務(wù)部門將分別獲得37.5%和50%的獎金；而由于今年第一季度上市的Galaxy S25系列手機銷量強勁，移動體驗（MX）業(yè)務(wù)部門將獲得最高的75%的獎金。醫(yī)療器械業(yè)務(wù)部門將獲得75%的獎金，網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)部門將獲得50%的獎金。

三星電機將向組件業(yè)務(wù)部門支付100%的獎金，向封裝解決方案業(yè)務(wù)部門支付75%的獎金。由于車載用多層陶瓷電容器（MLCC）等主力產(chǎn)品的供應(yīng)增加，組件業(yè)務(wù)部門的業(yè)績獎金似乎在所有部門中最高，反映了銷售額的增長。

三星顯示將向負責IT面板的中小型事業(yè)部支付100%的獎金，向生產(chǎn)電視面板的大型事業(yè)部及總部支付75%的獎金。

據(jù)悉，三星SDI的電子材料事業(yè)部將獲得25%的獎金，而中大型和小型事業(yè)部均將獲得0%的獎金。

5.DDR4芯片價格暴漲200%超DDR5，部分廠商決定重啟生產(chǎn)爭取市場份額

由于供應(yīng)不足，DDR4芯片的價格在過去幾個月里穩(wěn)步上漲。頂級DRAM制造商美光、三星和SK海力士在今年早些時候宣布，將在2025年底前停止生產(chǎn)DDR4內(nèi)存，中國內(nèi)存制造商也在5月份決定將停產(chǎn)。因此，DDR4芯片的價格在短短兩個月內(nèi)上漲兩倍，目前價格超越DDR5。據(jù)ComputerBase報道，8GB DDR4-3200芯片的價格已超過5美元（4月底為1.75美元）。這款DDR4內(nèi)存模塊的雙包裝版本現(xiàn)在的平均價格為8.80美元，比3.57美元上漲100%以上。因此，一些規(guī)模較小的廠商意識到DDR4再次盈利，并決定擴大生產(chǎn)。

例如，擁有豐富DDR4產(chǎn)品組合的南亞科技正受益于這些價格上漲。尤其由于該公司目前尚未生產(chǎn)LPDDR5，且DDR5產(chǎn)品線有限，因此價格上漲尤為明顯。另一方面，像美光這樣的大型制造商不太可能跟風，尤其是在他們正將閑置的生產(chǎn)線用于現(xiàn)有和即將推出的技術(shù)，例如DDR5和HBM的情況下。

受此消息影響，一些DDR4模塊的價格略有下降。但目前價格總體上仍然高企，尤其是在買家可能仍在囤積DDR4內(nèi)存芯片以期停產(chǎn)的情況下。我們預計，一旦小型制造商恢復生產(chǎn)速度，價格將會恢復正常，但恢復到原來的水平可能需要一些時間。

JEDEC于2020年首次正式推出DDR5標準，這意味著該技術(shù)至今已存在約五年。英特爾最新的CPU支持DDR5，而AMD的Zen 4及更高版本的處理器也僅支持DDR5。此外，人工智能（AI）的蓬勃發(fā)展將HBM芯片的巨大需求轉(zhuǎn)化為利潤豐厚的市場，促使主要廠商將其舊的DDR4生產(chǎn)線遷移到HBM生產(chǎn)。這些發(fā)展正在緩慢但穩(wěn)步地將DDR4擠出市場，但由于仍在使用DDR4的老舊技術(shù)，我們可能還需要一段時間才能真正看到這項技術(shù)的終結(jié)。

6.三巨頭爭霸1.4nm制程！臺積電穩(wěn)健領(lǐng)跑、英特爾調(diào)整戰(zhàn)略、三星延后量產(chǎn)

隨著1.4nm晶圓代工競賽進入關(guān)鍵階段，臺積電、英特爾與三星三大晶圓巨頭正展開不同戰(zhàn)略布局。

臺積電穩(wěn)步推進14A（1.4nm）制程，預計2028年量產(chǎn)；英特爾則將重心從Intel 18A（1.8nm）轉(zhuǎn)向Intel 14A（1.4nm），調(diào)整戰(zhàn)略搶市；而三星則因財務(wù)壓力宣布延后1.4nm量產(chǎn)至2029年，各家企業(yè)選擇揭示晶圓代工格局正在重塑。

臺積電穩(wěn)健推進14A制程，2028年目標不變

在1.4nm先進制程的競爭中，臺積電技術(shù)穩(wěn)健發(fā)展，預計2028年量產(chǎn)。

A14為第二代納米片（Nanosheet）晶體管，并采用NanoFlex Pro標準單元架構(gòu)，在相同功率下速度提升10%~15%，相同速度功耗降低25%~30%，邏輯密度提升1.2倍。

值得注意的是，臺積電在新節(jié)點的研發(fā)上，對于新技術(shù)的采用始終保持相對謹慎和保守姿態(tài)。

專家指出，此舉是為避免多項未驗證技術(shù)同時上線，有助縮短良率“爬坡期”，提升量產(chǎn)穩(wěn)定性與交付效率。

英特爾調(diào)整戰(zhàn)略，重押14A制程取代18A

另一邊，英特爾晶圓代工部門的日子也不好過。據(jù)報道，英特爾首席執(zhí)行官陳立武正考慮將資源重心從18A轉(zhuǎn)向14A，放棄前任CEO帕特·基辛格（Patrick Gelsinger）主推的18A節(jié)點。

18A導入RibbonFET與PowerVia等先進技術(shù)，但主要為內(nèi)部產(chǎn)品設(shè)計，對外部客戶吸引力有限。報道指出，英特爾的18A制程被認為與臺積電的3nm制程處于同一水準。

英特爾14A預計2027年進行風險試產(chǎn)，并將采用采用第二代環(huán)繞閘極技術(shù)RibbonFET 2和第二代背面供電網(wǎng)絡(luò)PowerDirect，搭配Turbo Cells強化性能與功耗表現(xiàn)，預期性能提升15%~20%、芯片密度提升近30%、功耗降低25%以上。

值得一提的是，英特爾在High NA EUV光刻設(shè)備的部署上走在前列，已經(jīng)在安裝了第二臺High NA EUV，但英特爾仍面臨重重障礙。

臺積電和三星等競爭對手正在積極擴展自身制程，而英特爾為保持領(lǐng)先地位而每年投入的400多億美元資本支出，可能會使其資產(chǎn)負債表捉襟見肘。

同時，14A制程節(jié)點2026年的發(fā)布時間表也取決于能否解決High NA EUV光刻機的良率問題，鑒于此類光刻機供應(yīng)有限，這項任務(wù)十分復雜。

此外，盡管微軟18A芯片順利推進，英偉達與超AMD等AI巨頭仍偏好臺積電，英特爾需通過14A證明其制程具備競爭力。

三星宣布延后1.4nm量產(chǎn)至2029年

與此同時，三星也于早先宣布，原計劃2027年量產(chǎn)的1.4nm制程將延后至2029年，原計劃今年啟動的測試線也延宕至年底或明年。

這比臺積電的2028年時間表還晚一年，顯示三星在晶圓代工的競爭力恐再被稀釋。

此舉被外界解讀為因應(yīng)連年虧損的策略轉(zhuǎn)向。2023年三星晶圓代工部門虧損高達4萬億韓元，2024年首季仍虧損2萬億韓元。

因此，三星選擇暫停對1.4nm的高額投入，轉(zhuǎn)而專注于提升2nm制程良率與成熟工藝效益。

目前三星2nm良率僅約40%，遠低于臺積電的60%穩(wěn)定門檻。三星已成立項目小組全力確保新款處理器Exynos 2600的順利量產(chǎn)，并爭取來自特斯拉、高通等美國大客戶的2nm訂單。(巨亨網(wǎng))

7.第九屆半導體投資聯(lián)盟理事會順利舉辦，超百位行業(yè)領(lǐng)袖建言產(chǎn)業(yè)發(fā)展

7月4日，第九屆半導體投資聯(lián)盟（以下簡稱“聯(lián)盟”）理事會暨上市公司CEO沙龍在2025第九屆集微半導體大會上同期舉行。

半導體投資聯(lián)盟理事長、長江存儲董事長陳南翔、聯(lián)盟副理事長、國家大基金副總裁韋俊、元禾璞華資本管理合伙人陳大同、浦東科創(chuàng)集團黨委書記、執(zhí)行董事傅紅巖以及中國半導體行業(yè)協(xié)會副理事長魏少軍、集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長、中國科學院微電子研究所研究員葉甜春、中國集成電路零部件創(chuàng)新聯(lián)盟理事長雷震霖、中國集成電路裝備創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長張國銘和超過150位上市公司董事長/CEO、頭部投資機構(gòu)負責人等嘉賓出席。愛集微創(chuàng)始人、董事長、聯(lián)盟秘書長老杳（王艷輝）主持會議。

會上，國際商務(wù)專家以專業(yè)視角深入剖析了中美對抗的本質(zhì)與趨勢，以及對中國半導體行業(yè)的影響。專家指出，中美貿(mào)易沖突本質(zhì)不在貿(mào)易，真正核心沖突點在于技術(shù)之爭。當前，半導體已不是簡單的技術(shù)產(chǎn)業(yè)，背后深層邏輯已成為國際地緣政治的重要內(nèi)容。

在隨后的圓桌討論中，眾多與會嘉賓就多個熱點話題展開了深入交流。圍繞地緣政治下半導體產(chǎn)業(yè)、產(chǎn)業(yè)出海，并購整合、AI等多個行業(yè)熱點話題議題各抒己見，并就產(chǎn)業(yè)發(fā)展建言獻策。

在地緣政治方面，面對不斷變化的外部環(huán)境，美國及其盟友采用反復的打壓手段，國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)應(yīng)該保持正確心態(tài)，要把芯片行業(yè)看成長期發(fā)展的產(chǎn)業(yè)，始終保持創(chuàng)新的心態(tài)。

去年下半年以來，國家出臺一系列政策，鼓勵并購推動產(chǎn)業(yè)整合與高質(zhì)量發(fā)展。與會嘉賓指出，一方面，推動并購投資，要盡可能深化與上市公司及行業(yè)龍頭的合作，推動優(yōu)質(zhì)資源向頭部企業(yè)集中。另一方面，也要注意并購之后的重組難度，要在并購之前做好整合工作，包括管理體系、IT系統(tǒng)、企業(yè)文化建設(shè)等。

在投資方面，與會嘉賓認為，當前半導體投資并非沒有機會，加大對技術(shù)攻克難度大的國產(chǎn)替代領(lǐng)域投資，同時，前瞻性布局新一代半導體的創(chuàng)新性技術(shù)、顛覆性技術(shù)領(lǐng)域。技術(shù)始終在進步，投資機會仍會不斷涌現(xiàn)。

對于企業(yè)出海，與會代表認為，海外市場拓展若想獲得長久的成功，需要與本地土壤結(jié)合深度扎根，遵守當?shù)匾?guī)則。要跟當?shù)氐漠a(chǎn)業(yè)，當?shù)氐慕?jīng)濟融為一體，做到和諧發(fā)展。這樣別的國家和地區(qū)對中國半導體產(chǎn)業(yè)和企業(yè)就會抱以歡迎的態(tài)度，而不是采取抵制和防范的措施。

關(guān)于半導體投資聯(lián)盟

半導體投資聯(lián)盟在首屆集微半導體大會（2017年）上成立，發(fā)起人為愛集微與國內(nèi)主要半導體投資機構(gòu)。首屆聯(lián)盟理事會上選舉深創(chuàng)投董事長倪澤望、中芯聚源創(chuàng)始合伙人兼總裁孫玉望、武岳峰創(chuàng)始合伙人潘建岳、浦東科投董事長朱旭東等擔任副理事長，老杳為聯(lián)盟理事會秘書長，理事單位包括53家企業(yè)及26家投資機構(gòu)。

2022年12月，半導體投資聯(lián)盟理事會進行改選。經(jīng)現(xiàn)場會員單位一致表決，選舉長江存儲董事長陳南翔擔任半導體投資聯(lián)盟理事長。同時增補浦東科創(chuàng)集團黨委書記、執(zhí)行董事傅紅巖、元禾璞華執(zhí)行合伙人劉越、小米產(chǎn)投總經(jīng)理兼基金管理合伙人孫昌旭、安謀科技CEO陳鋒擔任半導體投資聯(lián)盟副理事長。

經(jīng)過數(shù)年的發(fā)展，半導體投資聯(lián)盟已經(jīng)云集了上百家投資機構(gòu)會員單位，通過有效的活動組織，極大促進了資源整合和協(xié)同合作。

過去8年，半導體投資聯(lián)盟主辦的集微半導體大會、聯(lián)盟年會、芯力量路演等多個活動已經(jīng)成為業(yè)界認可的交流、合作平臺。未來聯(lián)盟將依托成員在各領(lǐng)域的資本、人才、項目和市場資源，通過組織有效地合作，實現(xiàn)優(yōu)勢資源整合、信息互通等目標。最大限度地發(fā)揮產(chǎn)業(yè)資本的綜合效益，促進聯(lián)盟成員間的合作，加強國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)交流與共同發(fā)展，進一步支持中國半導體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。

8.破局產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新 集微大會解碼“科技成果轉(zhuǎn)化與校企合作”新路徑

7月3日-5日，2025第九屆集微半導體大會將在上海張江科學會堂隆重舉行。作為半導體行業(yè)一年一度的頂級盛會，本屆大會以全新視角，匯聚全球半導體產(chǎn)業(yè)智慧，開啟中國半導體產(chǎn)業(yè)交流的全新篇章，共同探索產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展方向。

7月5日的主論壇上，一場聚焦“科技成果轉(zhuǎn)化與校企合作”的高端圓桌對話成為大會亮點。本次論壇由元禾璞華執(zhí)行合伙人劉越主持，匯聚了學術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的重量級嘉賓：復旦大學微電子學院院長張衛(wèi)、芯原微電子（上海）股份有限公司董事長戴偉民、紫光國芯微電子股份有限公司董事長陳杰以及上海交通大學集成電路學院常務(wù)副院長郭小軍。與會專家就產(chǎn)學研深度融合、創(chuàng)新成果產(chǎn)業(yè)化等關(guān)鍵議題展開了深度對話，為行業(yè)發(fā)展提供了前瞻性思考。

劉越在開場中指出，科技成果轉(zhuǎn)化與校企合作是一個歷久彌新的話題。隨著產(chǎn)業(yè)演進和國際格局的變化，每個發(fā)展階段都會賦予其新的內(nèi)涵，這需要業(yè)界持續(xù)深入探討。

近年來，高?？蒲谐晒诎雽w領(lǐng)域的轉(zhuǎn)化效率顯著提升，涌現(xiàn)出許多優(yōu)秀案例。這一進步既得益于產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展，也源于學界與產(chǎn)業(yè)界日益緊密的協(xié)同創(chuàng)新。劉越向復旦大學微電子學院院長張衛(wèi)拋出問題：“能否請您分享對當前高校科研成果轉(zhuǎn)化態(tài)勢的見解？特別是復旦微電子在產(chǎn)學研合作方面的實踐經(jīng)驗？”

“1+1.5”校企聯(lián)合培養(yǎng)，實現(xiàn)科研創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)需求無縫銜接

張衛(wèi)從復旦大學微電子學院的實踐出發(fā)，分享了產(chǎn)學研合作的經(jīng)驗?！霸趪液蜕虾Ｊ械拇罅χС窒?，近年來我們承擔了大量產(chǎn)學研合作項目，并構(gòu)建了系統(tǒng)化的人才培養(yǎng)平臺。通過持續(xù)優(yōu)化科研導向，我們確保教師的科研工作與產(chǎn)業(yè)需求深度對接，這是提升科技成果轉(zhuǎn)化率的關(guān)鍵所在?！?/p>

“在研究生培養(yǎng)方面，我們推行‘1+1.5’校企聯(lián)合培養(yǎng)機制。學生在完成一年課程學習后，將進入企業(yè)開展為期一年半的科研實踐，直接參與企業(yè)實際課題研究。”他特別強調(diào)了人才培養(yǎng)模式的創(chuàng)新，這種培養(yǎng)模式既強化學生的工程實踐能力，又促進科研成果的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

“通過這種深度校企協(xié)同，我們實現(xiàn)了科研創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)需求的無縫銜接，既提升了人才培養(yǎng)質(zhì)量，也加速了科技成果轉(zhuǎn)化效率?！睆埿l(wèi)補充道。

構(gòu)建RISC-V人才培養(yǎng)“三維體系”，助力中國芯片生態(tài)崛起

接著，劉越就人才培養(yǎng)這一關(guān)鍵議題提出深入探討：“當前半導體產(chǎn)業(yè)對高端應(yīng)用型、復合型人才的需求日益迫切，特別是在RISC-V等新興技術(shù)領(lǐng)域。請問芯原微電子（上海）股份有限公司董事長戴偉民，高校應(yīng)當如何創(chuàng)新人才培養(yǎng)機制，加速培育適應(yīng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求的專業(yè)人才，從而推動我國RISC-V生態(tài)的蓬勃發(fā)展？”

戴偉民從產(chǎn)業(yè)實踐角度分享了RISC-V人才培養(yǎng)的經(jīng)驗：“上海作為中國集成電路產(chǎn)業(yè)高地，在RISC-V生態(tài)布局上具有先發(fā)優(yōu)勢。2018年我們就牽頭成立了中國RISC-V產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，目前張江已形成涵蓋芯片設(shè)計、制造到應(yīng)用場景的完整RISC-V產(chǎn)業(yè)鏈?！?/p>

針對人才培養(yǎng)，他提出了三個關(guān)鍵指標：一是學習RISC-V課程的學生規(guī)模；二是以RISC-V為研究課題的碩士生數(shù)量；三是畢業(yè)后從事RISC-V相關(guān)工作的學生比例。

“面對RISC-V跨學科的教學挑戰(zhàn)，我們首創(chuàng)了協(xié)同備課機制。”戴偉民表示，聯(lián)盟通過整合11所高校資源，我們已開設(shè)17門RISC-V相關(guān)課程，并依托上海學府學院建立了覆蓋900多名研究生的培養(yǎng)體系。

產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新，突破技術(shù)瓶頸的關(guān)鍵

回到產(chǎn)業(yè)界的現(xiàn)實難題，主持人劉越直擊產(chǎn)業(yè)痛點，拋出問題：“當前業(yè)界熱議的‘卡脖子’技術(shù)難題，特別是大算力芯片研發(fā)中遭遇的工藝瓶頸，確實需要突破性的解決方案。在理想情況下，通過工藝設(shè)備的突破是最直接的解決路徑。但面對現(xiàn)實制約，紫光國芯微電子股份有限公司董事長陳杰，您認為還有哪些創(chuàng)新路徑可以攻克這些關(guān)鍵技術(shù)壁壘？”

陳杰分析了當前中國半導體產(chǎn)業(yè)面臨的挑戰(zhàn)與機遇?！霸诘鼐壵涡赂窬窒拢覈雽w產(chǎn)業(yè)正面臨雙重挑戰(zhàn)，一是關(guān)鍵設(shè)備受限導致的工藝節(jié)點滯后，與國際先進水平的差距可能進一步擴大；二是AI技術(shù)爆發(fā)式發(fā)展帶來的算力需求激增，這對大算力芯片提出了更緊迫的要求?！标惤軓娬{(diào)，要把握全球AI發(fā)展浪潮，特別是在大算力芯片這一關(guān)鍵領(lǐng)域，必須保持與國際同步的發(fā)展節(jié)奏。為此，他著重指出，深化產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新是突破技術(shù)瓶頸的核心路徑。

陳杰分析指出，一方面，中國高校經(jīng)過四十余年的積累，已構(gòu)建起雄厚的人才儲備和科研基礎(chǔ)。近年來，隨著國家科技投入持續(xù)加碼，高校在前沿技術(shù)領(lǐng)域取得了一系列突破性成果。這些優(yōu)勢資源應(yīng)當重點聚焦于大算力芯片架構(gòu)創(chuàng)新和半導體設(shè)備自主研發(fā)兩大關(guān)鍵環(huán)節(jié)。另一方面，產(chǎn)業(yè)界應(yīng)加大對高校創(chuàng)新成果的投資，并通過合作加速科技成果的產(chǎn)業(yè)化進程，推動從科研到產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化，切實提升科技成果轉(zhuǎn)化效率。

最后，陳杰表示，通過產(chǎn)學研的協(xié)同創(chuàng)新和良性互動，中國完全有能力攻克“卡脖子”技術(shù)難關(guān)。這不僅是追趕國際先進水平的過程，更是實現(xiàn)自主創(chuàng)新的重要機遇。

破界融合，集成電路人才培養(yǎng)的三大創(chuàng)新舉措

陳杰的深刻見解為與會者提供了全新的思考維度。中國集成電路產(chǎn)業(yè)雖起步較晚，長期處于跟跑階段，但經(jīng)過數(shù)十年的積累與發(fā)展，如今已實現(xiàn)質(zhì)的飛躍。值得注意的是，集成電路學科已躍升為與數(shù)理化等基礎(chǔ)學科并列的一級學科。作為培養(yǎng)產(chǎn)業(yè)生力軍的重要基地，高校集成電路學院如何在人才培養(yǎng)和產(chǎn)業(yè)合作方面發(fā)揮作用？

郭小軍系統(tǒng)闡述了高校在集成電路人才培養(yǎng)方面的創(chuàng)新實踐?！爱斍皣鴥?nèi)高校集成電路學院建設(shè)方興未艾，面對產(chǎn)業(yè)在工藝節(jié)點、關(guān)鍵設(shè)備等方面的突破需求，我們必須以更加開放的姿態(tài)擁抱產(chǎn)業(yè)，共同攻克技術(shù)國產(chǎn)化難題?！?/p>

他重點分享了上海交大集成電路學院的三大創(chuàng)新舉措：

一是交叉學科人才培養(yǎng)。郭小軍提到，上海交大集成電路學院通過探索交叉學科的方式，培養(yǎng)集成電路領(lǐng)域的人才。學院嘗試將50名來自不同學科（如材料、化學、物理等）的學生聚集在一起，融合不同學科的知識，開展跨學科的課程。例如，工藝、裝備以及量測技術(shù)等課程的聯(lián)合教學。

二是校企合作。在人才培養(yǎng)過程中，學校通過與企業(yè)的合作，讓學生在學習階段了解產(chǎn)業(yè)鏈的全貌。郭小軍強調(diào)，通過校企合作和建立產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)資源，學生可以更早地接觸企業(yè)實際運作，提升其實際能力。此外，上海交大正在探索在學校周邊建立二級產(chǎn)業(yè)鏈平臺，促進學校與企業(yè)的緊密合作。

三是人才培養(yǎng)周期的優(yōu)化。郭小軍提出，我們正著力優(yōu)化人才培養(yǎng)周期，計劃將傳統(tǒng)8-9年的本碩博培養(yǎng)體系精簡至7年，并為優(yōu)秀學子設(shè)計6年制精英培養(yǎng)方案，在確保質(zhì)量的同時提升培養(yǎng)效率。

最后，劉越總結(jié)到，中國集成電路產(chǎn)業(yè)要實現(xiàn)跨越式發(fā)展，必須突破兩個關(guān)鍵瓶頸——既要構(gòu)建深層次的產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新體系來攻克核心技術(shù)，又要打造具有國際競爭力的人才高地。產(chǎn)業(yè)發(fā)展必須堅持“強基方能做大”的戰(zhàn)略路徑，唯有夯實技術(shù)根基、培育核心競爭力，才能真正實現(xiàn)高質(zhì)量、可持續(xù)的規(guī)模擴張。

9.老杳：AI將顛覆半導體行業(yè)，擁抱變革正當其時

7月3日，2025第九屆集微半導體大會在上海張江科學會堂隆重開幕，以全新、全面、全球化視野開啟中國半導體產(chǎn)業(yè)交流新篇章。大會由半導體投資聯(lián)盟、ICT知識產(chǎn)權(quán)發(fā)展聯(lián)盟主辦，愛集微（上海）科技有限公司承辦，上海市集成電路行業(yè)協(xié)會協(xié)辦，浦東科創(chuàng)集團、海望資本戰(zhàn)略協(xié)作，上海市張江科學城建設(shè)管理辦公室、浦東新區(qū)投資促進服務(wù)中心支持。

7月5日主論壇期間，愛集微創(chuàng)始人、董事長老杳在致辭中指出，作為半導體行業(yè)極具影響力的年度盛會，本屆集微半導體大會首次移師上海舉辦，吸引了來自全球的政府代表、院士專家、產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖、投資機構(gòu)及高校學者共襄盛舉。  

老杳介紹稱，本屆大會自7月3日啟動全球分析師大會起，匯聚了全球34位頂級分析師對行業(yè)現(xiàn)狀和未來趨勢進行深度解讀；7月4日，大會同期舉辦了上市公司CEO沙龍、EDA論壇、制造大會、端側(cè)AI論壇以及盛大的歡迎晚宴。今（5）日，主論壇會后還將舉辦ICT知識產(chǎn)權(quán)聯(lián)盟年會、微電子校企合作論壇以及并購整合論壇等重磅活動，會后還將舉行多場高校校友論壇。老杳表示，從組織策劃到議題設(shè)置，在上海舉辦的本屆大會展現(xiàn)出與往屆完全不同的“氣息”，規(guī)模與影響力均創(chuàng)歷史新高。

老杳強調(diào)，在為期三天的大會期間，人工智能議題無處不在，其對半導體產(chǎn)業(yè)的深遠影響才剛剛開始，并將在未來影響每一個人和每一家企業(yè)。他呼吁產(chǎn)業(yè)界積極擁抱這一趨勢，愛集微自身即是實踐案例之一。

最后，老杳介紹稱，愛集微在人工智能領(lǐng)域已經(jīng)投入5年時間和大量研發(fā)，現(xiàn)已在資訊、咨詢、專利等多個業(yè)務(wù)線貫穿應(yīng)用。人工智能將顛覆企業(yè)的運營模式和規(guī)模效應(yīng)，對于半導體行業(yè)更是如此，每一家半導體企業(yè)都將迎來新的發(fā)展機遇。

第九屆集微半導體大會以空前的規(guī)模、高規(guī)格的嘉賓陣容、覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的前沿議題，尤其是對人工智能驅(qū)動產(chǎn)業(yè)變革的深入探討，為全球半導體產(chǎn)業(yè)在復雜環(huán)境下的創(chuàng)新發(fā)展注入了強勁動力。隨著本屆大會進入高潮，與會者普遍期待產(chǎn)業(yè)界攜手合作，把握人工智能時代機遇，共同迎接半導體產(chǎn)業(yè)更加蓬勃的未來。