隨著1.4nm晶圓代工競賽進(jìn)入關(guān)鍵階段，臺(tái)積電、英特爾與三星三大晶圓巨頭正展開不同戰(zhàn)略布局。

臺(tái)積電穩(wěn)步推進(jìn)14A（1.4nm）制程，預(yù)計(jì)2028年量產(chǎn)；英特爾則將重心從Intel 18A（1.8nm）轉(zhuǎn)向Intel 14A（1.4nm），調(diào)整戰(zhàn)略搶市；而三星則因財(cái)務(wù)壓力宣布延后1.4nm量產(chǎn)至2029年，各家企業(yè)選擇揭示晶圓代工格局正在重塑。

臺(tái)積電穩(wěn)健推進(jìn)14A制程，2028年目標(biāo)不變

在1.4nm先進(jìn)制程的競爭中，臺(tái)積電技術(shù)穩(wěn)健發(fā)展，預(yù)計(jì)2028年量產(chǎn)。

A14為第二代納米片（Nanosheet）晶體管，并采用NanoFlex Pro標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)，在相同功率下速度提升10%~15%，相同速度功耗降低25%~30%，邏輯密度提升1.2倍。

值得注意的是，臺(tái)積電在新節(jié)點(diǎn)的研發(fā)上，對(duì)于新技術(shù)的采用始終保持相對(duì)謹(jǐn)慎和保守姿態(tài)。

專家指出，此舉是為避免多項(xiàng)未驗(yàn)證技術(shù)同時(shí)上線，有助縮短良率“爬坡期”，提升量產(chǎn)穩(wěn)定性與交付效率。

英特爾調(diào)整戰(zhàn)略，重押14A制程取代18A

另一邊，英特爾晶圓代工部門的日子也不好過。據(jù)報(bào)道，英特爾首席執(zhí)行官陳立武正考慮將資源重心從18A轉(zhuǎn)向14A，放棄前任CEO帕特·基辛格（Patrick Gelsinger）主推的18A節(jié)點(diǎn)。

18A導(dǎo)入RibbonFET與PowerVia等先進(jìn)技術(shù)，但主要為內(nèi)部產(chǎn)品設(shè)計(jì)，對(duì)外部客戶吸引力有限。報(bào)道指出，英特爾的18A制程被認(rèn)為與臺(tái)積電的3nm制程處于同一水準(zhǔn)。

英特爾14A預(yù)計(jì)2027年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，并將采用采用第二代環(huán)繞閘極技術(shù)RibbonFET 2和第二代背面供電網(wǎng)絡(luò)PowerDirect，搭配Turbo Cells強(qiáng)化性能與功耗表現(xiàn)，預(yù)期性能提升15%~20%、芯片密度提升近30%、功耗降低25%以上。

值得一提的是，英特爾在High NA EUV光刻設(shè)備的部署上走在前列，已經(jīng)在安裝了第二臺(tái)High NA EUV，但英特爾仍面臨重重障礙。

臺(tái)積電和三星等競爭對(duì)手正在積極擴(kuò)展自身制程，而英特爾為保持領(lǐng)先地位而每年投入的400多億美元資本支出，可能會(huì)使其資產(chǎn)負(fù)債表捉襟見肘。

同時(shí)，14A制程節(jié)點(diǎn)2026年的發(fā)布時(shí)間表也取決于能否解決High NA EUV光刻機(jī)的良率問題，鑒于此類光刻機(jī)供應(yīng)有限，這項(xiàng)任務(wù)十分復(fù)雜。

此外，盡管微軟18A芯片順利推進(jìn)，英偉達(dá)與超AMD等AI巨頭仍偏好臺(tái)積電，英特爾需通過14A證明其制程具備競爭力。

三星宣布延后1.4nm量產(chǎn)至2029年

與此同時(shí)，三星也于早先宣布，原計(jì)劃2027年量產(chǎn)的1.4nm制程將延后至2029年，原計(jì)劃今年啟動(dòng)的測試線也延宕至年底或明年。

這比臺(tái)積電的2028年時(shí)間表還晚一年，顯示三星在晶圓代工的競爭力恐再被稀釋。

此舉被外界解讀為因應(yīng)連年虧損的策略轉(zhuǎn)向。2023年三星晶圓代工部門虧損高達(dá)4萬億韓元，2024年首季仍虧損2萬億韓元。

因此，三星選擇暫停對(duì)1.4nm的高額投入，轉(zhuǎn)而專注于提升2nm制程良率與成熟工藝效益。

目前三星2nm良率僅約40%，遠(yuǎn)低于臺(tái)積電的60%穩(wěn)定門檻。三星已成立項(xiàng)目小組全力確保新款處理器Exynos 2600的順利量產(chǎn)，并爭取來自特斯拉、高通等美國大客戶的2nm訂單。